HTS/HTS-W高温源用于高蒸汽压的材料蒸发,因此可以在高束流速度下实现材料非常均匀地化合沉积。典型应用是MBE中做P-型掺杂时升华P或者Si太阳能电池研究和SiGe的MBE系统中Ge升华,也可以用于CaF2,Ti,Ni,Cr,Au,Er,La等材料。
特点:
安装法兰:DN40CF/DN63CF/DN100CF
真空内长度:250~400 mm
加热灯丝类型:HTS:石墨灯丝
HTS-W:两层W灯丝
灯丝屏蔽:HTS:完全由石墨部件屏蔽
HTS-W:钽辐射罩屏蔽
热偶:W5%Re/W26%Re( C型)
加热温度:最高2000℃
除气温度:最高2000℃
外部烘烤温度:250℃
冷却方式:集成水冷 / 独立冷屏
坩埚容量:5/25/200 cc
坩埚材料:C/W/PBN/BeO
选配:挡板
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