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分子束外延电子束蒸发源

  • 单口水平安装电子束蒸发源-EBV
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单口水平安装电子束蒸发源-EBV

  • 型号:EBV
  • 坩埚容量:40 / 100 cc
  • 产品描述:EBV标准电子束蒸发源是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的,尤其是高纯材料以及难熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半导体材料Si和Ge,典型应用于Si-Ge的MBE系统。
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单口水平安装电子束蒸发源-EBV是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的,尤其是高纯材料以及难熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半导体材料Si和Ge,典型应用于SiGe的MBE系统。


产品特点:

法兰尺寸:CF150/CF200/CF250

坩埚容量:40/100 cc

灯丝类型:W螺旋线圈,电子发射灯丝

工作气压:1×10-11mbar~1×10-5mbar

加速电压:4-10kV

电子束功率:最高10kW(3kW,5kW)

灯丝电流:最高50A

束斑尺寸:直径约5mm

电子束发射方式:磁场偏转270°

束斑偏转范围:x方向±3A,y方向±3A

外部烘烤温度:200℃

冷却方式:循环水冷却,水流量8l/min,压力3bar

坩埚:40cm3或100cm3加热区域

选配:水冷屏,挡板



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