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分子束外延电子束蒸发源

  • 多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM
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多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM

多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM

  • 型号:EBVM
  • 产品描述:多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的,尤其是高纯材料以及难熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半导体材料Si和Ge,典型应用于Si-Ge的MBE系统。
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多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的,尤其是高纯材料以及难熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半导体材料Si和Ge,典型应用于SiGe的MBE系统。

特点:

法兰尺寸:CF200/CF250

腔体内直径:195mm/245mm

腔体内长度:对于4个8cc坩埚和3个15cc坩埚:250mm; 对于6个8cc坩埚:330mm; 对于6个15cc坩埚:350mm

坩埚容量:8cm3,15cm3

加热区域:直径30mm(15°倾角)×15mm深度,直径37mm(15°倾角)×17mm深度

灯丝类型:W螺旋线圈,电子发射灯丝

外部烘烤温度:200℃

工作气压:1×10-11mbar~1×10-5mbar

加速电压:4-10kV

电子束功率:最高6kW(3kW,根据电源功率)

灯丝电流:最高50A

束斑尺寸:直径约5mm

电子束发射方式:磁场偏转270°

束斑偏转:x方向±3A,y方向±3A

冷却方式:循环水冷却,水流量6l/min,压力3bar

选配:水冷屏,挡板


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