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多坩埚水平安装电子束蒸发源-EBVM是为高蒸发速率的低蒸气压材料设计的，尤其是高纯材料以及难熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半导体材料Si和Ge，典型应用于SiGe的MBE系统。
特点：
法兰尺寸：CF200／CF250
腔体内直径：195mm/245mm
腔体内长度：对于4个8cc坩埚和3个15cc坩埚：250mm; 对于6个8cc坩埚：330mm; 对于6个15cc坩埚：350mm
坩埚容量：8cc, 15cc
加热区域：直径30mm(15°倾角)×15mm深度，直径37mm(15°倾角)×17mm深度
灯丝类型：W螺旋线圈，电子发射灯丝
外部烘烤温度：200℃
工作气压：1×10-11mbar~1×10-5mbar
加速电压：4-10kV
电子束功率：最高6kW(3kW,根据电源功率)
灯丝电流：最高50A
束斑尺寸：直径约5mm
电子束发射方式：磁场偏转270°
束斑偏转：x方向±3A，y方向±3A
冷却方式：循环水冷却，水流量6l/min，压力3bar
选配：水冷屏，挡板
电话：010-80698356
邮箱：Info@be-instruments.com
地址： 北京市朝阳区霄云路36号国航大厦1310室
