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分子束外延系统

  • Octoplus-O 400 MBE系统
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Octoplus-O 400 MBE系统Octoplus-O 400 MBE系统

Octoplus-O 400 MBE系统

  • 型号:Octoplus-O 400
  • 产品描述:Octoplus-O 400是一个专业设计的,非常适合于氧化物薄膜沉积的MBE系统。特殊设计的差分抽气双气压区域系统非常适合加热源在氧气以及浓缩或非浓缩的臭氧环境中生长氧化物薄膜。它可以非常容易地调整适用于小的晶片及2英寸标准晶片。竖直分区式腔体设计可以装配先进的源炉(组件),从而实现精确地一层一层的分子束外延生长。
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Octoplus-O 400是一个专业设计的,非常适合于氧化物薄膜沉积的MBE系统。特殊设计的差分抽气双气压区域系统非常适合加热源在氧气以及浓缩或非浓缩的臭氧环境中生长氧化物薄膜。它可以非常容易地调整适用于小的晶片及2英寸标准晶片。竖直分区式腔体设计可以装配先进的源炉(组件),从而实现精确地一层一层的分子束外延生长。

● 双气压区域设计

● 强差分抽气

● 耐臭氧的SiC样品加热

● 近样品台的臭氧喷气环

● 浓缩或者非浓缩臭氧源

● 原位表征能力

● 可伸缩源炉设计,不破坏真空换料

● 放射状分布的9个MBE源孔,可选配额外3个源孔

● 可兼容多孔式电子束蒸发

我们可以根据所有客户的要求,提供不同种类的束流源,裂解源,气体源以及样品台。可以使用束流计,反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质量分析仪非常容易的实现样品的原位表征。

Octoplus-O 400的主要特点是它特殊的双区域设计以及极高的可靠性和普适性,并且其占地空间小。这些特点使得我们的系统非常适合于研发。标准的Octoplus-O 400有12个4.5’’(CF63)源孔。快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统,可以在不破坏MBE腔室真空的前提下,简便地进行样品传输。我们非常乐意一起讨论MBE的参数规格并给出相应的合理建议。如有问题或需要参数规格说明,请联系我们的销售部门。

Octoplus-O 400的参数规格:

区域1(蓝色区域)Schematic Octoplus-O 400

● 氧化物沉积区域

● O2和O3的局部高压

● 近样品台的臭氧喷出环

● 可缩短和样品台距离的臭氧喷射环

● 较低的臭氧消耗

● 耐臭氧的SiC加热器

● 强差分抽气

区域2(黄色区域)

● 蒸发源区域

● 通向区域1的开放小孔形成的低压区

● 独立的分子泵

● 明显低于区域1的气压

● 限量通过式隔板

● 无需独立地对每个源进行低差分抽气

● 可以将多孔的电子束蒸发集成

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