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分子束外延系统

  • Octoplus-O 400 MBE系统
Octoplus-O 400 MBE系统

Octoplus-O 400 MBE系统

  • 型号:Octoplus-O 400
  • 产品描述:Octoplus-O 400是专门为氧化物薄膜沉积的设计的MBE系统。利用差分抽气,使得加热源可以在氧气或者臭氧环境下生长氧化物薄膜。适用于2英寸晶圆及2英寸以下小尺寸样品。竖直分割式腔体设计,可以装配各种源炉,实现不同材料分子束外延生长。
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Octoplus-O 400是专门为氧化物薄膜沉积的设计的MBE系统。利用差分抽气,使得加热源可以在氧气或者臭氧环境下生长氧化物薄膜。适用于2英寸晶圆及2英寸以下小尺寸样品。竖直分割式腔体设计,可以装配各种源炉,实现不同材料分子束外延生长。


系统特点:

● 强差分抽气,双气压区设计

● 高温下耐臭氧的SiC样品加热器

● 靠近样品台设计的臭氧喷气环

● 浓缩或者非浓缩臭氧源

● 原位生长表征

● 可伸缩式源炉设计,不破坏真空换料

● 9个MBE蒸发源CF法兰口,可选配额外3个

● 可兼容多坩埚式电子束蒸发


我们可以根据所有客户的要求,提供不同种类的蒸发源,包括K-cell电子束蒸发源热裂解源阀式裂解源气体裂解源等。可以使用石英晶振,反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。


Octoplus-O 400的规格说明:

区域1(蓝色)

● 氧化物生长区

● O2和O3的局域高压

● 靠近样品台的臭氧喷环,喷环与样品之间距离可调

● 较低的臭氧消耗

● 高温下耐臭氧的SiC加热器

● 强差分抽气

区域2(黄色)

● 蒸发源区

● 通向区域1的开放小孔形成的低压区

● 独立的分子泵

● 明显低于区域1的气压

● 限量通过式隔板

● 无需独立地对每个蒸发源进行差分抽气

● 可集成多坩埚的电子束蒸发

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