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分子束外延掺杂束源炉

  • P掺杂束源炉-DECO-D
  • P掺杂束源炉-DECO-D
P掺杂束源炉-DECO-DP掺杂束源炉-DECO-D

P掺杂束源炉-DECO-D

  • GaP裂解产生P2
  • 较高的P2产生效率
  • 产品描述:利用分解GaP的办法获得相对较纯的P2束流,典型工作温度为:600-700℃,900到1200℃。
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利用分解GaP的办法获得相对较纯的P2束流,典型工作温度为:600-700℃。


产品特点:

精确掺杂控制;

GaP分解掺杂

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