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分子束外延电子束蒸发源

  • 单口电子束竖直蒸发源-EBVV
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单口电子束竖直蒸发源-EBVV单口电子束竖直蒸发源-EBVV

单口电子束竖直蒸发源-EBVV

  • 型号:EBVV
  • 坩埚容量:4/5 cc
  • 产品描述:单口电子束竖直蒸发源-EBVV是为竖直向预留法兰口的超高真空生长设备而设计,适合蒸发低蒸气压材料,难熔金属或掺杂,如P,C等;以及高介电材料Al2O3,Pr3O3或者其他氧化物,电介质。EBVV也可以满足Si薄膜生长,为了保证高纯度的Si生长,电子束蒸发源的所有部分采用高纯的单晶硅制作,保证生长时Si薄膜不受任何污染。
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单口电子束竖直蒸发源EBVV是为竖直向预留法兰口的超高真空设备而设计,可以满足竖直安装。非常适合低蒸气压材料,难熔金属或掺杂,如P,C等;以及新兴的高介电材料Al2O3,Pr3O3或者其他氧化物,电介质,也可以满足Si薄膜生长。


特点:

法兰尺寸:CF63/CF100

坩埚容量:4/5 cc

真空腔体内长度:234~400mm

加热口尺寸:Ø22mm (15° 锥角) x H 15mm ,Ø23mm (12°锥角) x H 15mm

外部烘烤温度:200℃

束斑尺寸:直径约5mm

束流偏转:270°磁场偏转

水冷:5l/min,压力约4bar

选配:挡板



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