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分子束外延组件

  • 多功能样品控制台-SH
多功能样品控制台-SH

多功能样品控制台-SH

  • 型号:SH
  • 产品描述:多功能样品控制台-SH可以用于标准的III/V族材料生长MBE系统,GaN MBE系统,SiC生长和Si-Ge MBE系统。钨加热控制台适用于大多数高温材料应用。在III/V族材料生长MBE系统中通常使用钽丝加热器,而SiGe的MBE系统要求热解石墨加热器。即使是在1200℃高温下,所有的加热部件必须满足超高真空的条件。
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多功能样品控制台-SH可以用于标准的III/V族材料生长MBE系统,GaN MBE系统,SiC生长和Si-Ge MBE系统。钨加热控制台适用于大多数高温材料应用。在III/V族材料生长MBE系统中通常使用钽丝加热器,而SiGe的MBE系统要求热解石墨加热器。即使是在1200℃高温下,所有的加热部件必须满足超高真空的条件。 若样品台需要应用在氧气的环境下,则需考虑抗氧压样品台SH-O。


特点:

法兰尺寸:CF150/CF200/CF250

加热器类型:W/Ta/C;SiC/Pt/PBN

热偶:W5%Re/W26%Re (C型)

基片加热温度:最大值900~1200℃,根据加热材料和应用

外部烘烤温度:250℃

电接触点:金属加热器的无铜接触;石墨加热器的水冷接触

线性传输距离:25 mm

选配:挡板,带有偏压接头的绝缘样品托,钽样品托

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